目前国际形势下，科技产业自主可控重要性将更加凸显，而光刻机作为当下科技赛道亟待突破的细分方向，一旦出现重大技术突破，整个赛道有望获得市场关注，近期机构对光刻机行业也保持一定关注度，其基本面情况值得投资者关注和重视。
光刻工艺是集成电路制造的关键步骤，直接决定了集成电路制造的微细化水平，光刻工艺是对光刻胶进行曝光和显影形成三维光刻胶图形的过程，集成电路整个制造过程中，光刻步骤至少要重复10次，一般要重复25-40次。光刻机是光刻工艺乃至整个芯片制造过程中的核心设备，是一个高度复杂、精密的系统，主要由光源、光路系统及物镜、双工件台、测量系统、聚焦系统、对准系统等部分组成，总的来看，光刻工艺是集成电路制造的关键步骤，光刻机是半导体工业皇冠上的明珠。
光刻机作为所有半导体制造设备中难度最高、最难突破的一环，占晶圆生产设备总市场的24%。从UV到EUV，光刻机经历了五代发展和进化，每次光源的改进都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。根据前瞻研究院数据，光刻机由光源、曝光和双工作台三大核心系统组成，一台EUV光刻机内含有超10万个精密零部件，全球供应商超过5000家。其中光学系统最重要的子系统之一，约占整体光刻机成本的30%。
根据观知海内信咨询，2020年全球光刻机市场规模为170.9亿美元，预计2024年将达315亿美元。光刻机行业属于寡头垄断格局，市场份额集中，ASML出货量市占率63%，营收市占率81%。在高端光刻机（EUV、ArFi、ArF）市场，ASML的出货量占据优势，市占率分别为100%/95%/87%。而Nikon和Canon则凭借价格优势占据中低端光刻机（KrF、i-line）市场。 美国联合荷兰对我国半导体产业实施多轮制裁，目前来看，EUV完全对我国禁售，ASML的2000i及以上的浸没式光刻机的出口许可证也于2024年年初失效，稍低端的1980i和1970i的出口则需要荷兰政府的许可证，实施光刻机整机自主可控是大势所趋。
此外，BIS于2022年年底将国产光刻机厂商上海微纳入实体清单，基本不可能从美国获得《出口管理条例》所列物项和技术，而目前成熟光刻机的一些核心零部件依赖美国供应商，因此国产光刻机的零部件供应链的国产化建设也至关重要。
1966年，中国成功制造出第一台接触式光刻机，90年代初期，国内光刻机设计制造一直停滞不前，国内的光刻机仍然主要依赖进口。2002年，光刻机被正式列入“863重大科技攻关计划”，同时上海微电子装备有限公司成立，并于2007年宣布研制出90nm工艺的分布式投影光刻机。 2008年国家成立“极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项”（02专项），在02专项的支持下，一批相关企业和科研机构在曝光光学系统、双工件台、光刻胶等关键技术和零部件方面取得了突破。2016年上海微电子90nmArF光刻机SSA600系列实现出货。整体而言，国内光刻机产业不断进步，国产替代空间广阔。
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