pg电子官方网站这种5nm采用了完全不一样的技术路线，避开了EUV光刻机的依赖，采用一种步进扫描光刻机，通过多重曝光实现5nm线宽。
最新报道指出，还是这家5nm品牌，最近已经打算推出3nm工艺制程技术的AP（应用处理器），目标是在2025年问世。
该芯片采用全环绕栅极（Gate-All-Around，GAA）技术能有效降低电流泄漏并提升性能，是台积电、三星等在先进制程上采用的关键技术。
之前，他们就是采用了通过使用深紫外光（DUV）曝光机的多次曝光，来达成5nm制程的量产。
市场认为，在3nm米制程上也可能采取类似的方法。然而，相较于EUV，采用DUV的多次曝光方式会显著增加制程步骤，这不可避免地会导致良率和生产效率的下降。
