讲座内容：传统光刻技术通常依赖光刻胶模板，并需通过刻蚀或剥离工艺完成图案转移，工艺流程复杂，且在多材料体系中常受材料兼容性限制。部分现有的直接图案化方法虽简pg电子官方网站化了流程，但在构建复杂结构或实现高精度对准方面仍存在挑战。本次将介绍一种基于分子束莫尔干涉效应的全新图案化策略，即 “分子束全息光刻技术”。该方法无需使用光刻胶，可对任意可蒸发材料（包括金属、氧化物和有机半导体等）直接形成高分辨率纳米图案，并可适用于复杂三维表面和超晶格结构的构建。其核心原理是通过精确控制材料束流穿过纳米掩膜时的投影角度，使其在衬底上形成类似于干涉光刻中相干激光束干涉的图案，实现高精度自对准与纳米结构控制。
主讲人介绍：曾双双，现任华中科技大学集成电路学院教授。主要从事新型微纳工艺开发及其相关应用的研究，如基于微纳加工制备的固态纳米孔传感器用于生物单分子检测，以及利用纳米掩膜用于无光刻胶蚀刻的纳米图案化等。
