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光刻机行业颠覆性突破!上海光机所实现EUV光源功率密度创新

2025-06-28  

  由一支由前阿斯麦尔(ASML)华人工程师领衔的研发团队实现了光源效率提升63%的技术革新,直逼理论极限值。

  该技术采用创新的多光子共振等离子体激发方案,将EUV光波长稳定在13.5nm与此同时功率密度推测首次会突破250Wcm²,显著超越了目前国际主流水平的160Wcm²。

  我国芯片产业长期面临卡脖子困境尤其在高端光刻机领域。要知道一台EUV光刻机售价高达3.5亿美元,且几乎被荷兰ASML公司垄断。以往的光刻机光源存在三大问题:

  上海光机所的突破正是针对这些痛点,通过自主研发的多级能量转换级联系统,实现了光能转化效率提升至3.42%接近理论极限值的6%.

  该技术目前已完成实验室验证,正在进入工程样机测试阶段。预计需要多年产业化验证,可实现首台搭载该光源的国产光刻机工程样机下线。

  从全球半导体产业布局来看,这一技术突破,或许会改变全球芯片制造的格局,为中国半导体产业链的自主可控,提供关键的支撑。尤其在当下全球供应链重构的背景之下,这一技术的成熟,为中国DUV光刻机技术,提供帮忙,将为我国在28-14nm制程工艺上,实现“完全自主”,提供重要的保障。

  在《中国激光》杂志今年第6期发表上面说:电光转换效率提升空间大,千瓦级功率输出已实现,未来有望达到十倍增长,我也是推测首次应该会达到。

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