随着在晶圆代工领域的竞争对手台积电与三星，均已陆续进入 10 纳米制程技术领域。因此，半导体大厂英特尔 （intel） 也不甘示弱，在 19 日于中国北京所举办的尖端制造大会上，正式公布了自家的 10 纳米制程技术，以及全球首次对外展示的 10 纳米的晶圆。intel 还宣布，将在接下来的技术大会上，除了介绍了自家的 10 纳米制程技术之外，同时也将与竞争对手，也就是台积电以及三星的 10 纳米制程技术进行比较。
会议上，Intel 高级院士，制程架构总监 Mark T.Bohr 发布了 Intel 的 10 纳米制程技术。Mark T.Bohr 表示，与台积电和三星等竞争对手的对比，可以看到 Intel 的 10 纳米制程技术在鳍片的间距，以及栅极间距均低于台积电与三星，而且最小金属间距更是大幅领先其竞争对手。
另外，从而在最终的逻辑电晶体密度参数上面，Intel 的 10 纳米制程技术能够达到每平方毫米 1 亿电晶体，而台积电为 4,800 万，三星为 5,160 万，也就是说 Intel 的 10 纳米制程技术电晶体密度是台积电的 2 倍还多。
另外，在英特尔执行副总裁 Stacy J.Smith 讲解完 Intel 未来战略演讲后，Smith 还向全世界首次展示了以最新 10 纳米制pg电子(中国官方网站)程技术所打造的晶圆，这也是未来 Cannon Lake CPU 的最基础的部分。可以说这个 10 纳米的晶圆是全球首次展示。虽然，Intel 表示自家的 10 纳米制程技术还将会领先竞争对手很多，而且未来还有 10 纳米 + 以及 10 纳米 ++ 制程技术。
不过，在目前 Intel 还没有对最新的 10 纳米制程技术发布更多的技术资讯情况下，相关的状况仍无法完全确认。不过，intel 已经表示，将会在 2017 年底前正式投产 10 纳米制程技术的处理器。
