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台积电2纳米制程技术细节出炉 性能跃升15% 功耗降低30%

2025-01-05  

  pg电子(中国官方网站)【台积电2纳米制程技术细节出炉 性能跃升15% 功耗降低30%】在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议 (IEDM) 上,全球晶圆代工巨头台积电公布了其备受瞩目的2纳米(N2)制程技术的更多细节。据介绍,相较于前代制程,N2制程在性能上提升了15%,功耗降低了高达30%,能效显著提升。此外,得益于环绕式栅极(GAA)纳米片晶体管和N2 NanoFlex技术的应用,晶体管密度也提高了1.15倍。

  在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议 (IEDM) 上,全球晶圆代工巨头台积电公布了其备受瞩目的2纳米(N2)制程技术的更多细节。据介绍,相较于前代制程,N2制程在性能上提升了15%,功耗降低了高达30%,能效显著提升。此外,得益于环绕式栅极(GAA)纳米片晶体管和N2 NanoFlex技术的应用,晶体管密度也提高了1.15倍。N2 NanoFlex技术允许制造商在最小的面积内集成不同的逻辑单元,进一步优化了制程的性能。据悉,N2制程晶圆的价格将比3纳米制程高出10%以上。

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